MOSFET: handling og rækkevidden af princippet om

At studere egenskaberne for et materiale, såsom en halvleder, lov til at gøre revolutionerende opdagelser. Over tid der teknologi til kommercielt producere dioder, MOS transistorer, tyristorer og andre elementer. De med held erstattet vakuumrør og tilladt at realisere de mest dristige ideer. Semiconductor komponenter anvendes i alle områder af vores liv. De hjælper os til at behandle enorme mængder af information på grundlag af deres computere er fremstillet, båndoptagere, fjernsyn mv

Siden opfindelsen af den første transistor, og det var i 1948, bestået i lang tid. Der var variationer af dette element: punkt germanium, silicium, felteffekttransistor eller MOSFET. Alle af dem er meget udbredt i elektronisk udstyr. Studiet af egenskaberne for halvledere vil ikke stoppe i vores tid.

Disse undersøgelser har ført til fremkomsten af en sådan enhed som en MOSFET. Funktionsprincippet den er baseret på det faktum, at det elektriske felt (deraf andet navn - felt) varierer ledningsevnen af overfladen af halvlederlaget på grænsen til det dielektriske. Denne egenskab anvendes i elektroniske kredsløb til forskellige formål. MOS transistor har en struktur, som gør det muligt at sænke modstanden mellem drain og kilde under påvirkning af styresignalet i det væsentlige til nul.

Dens egenskaber er forskellige fra bipolar "konkurrent". Det er dem, der bestemmer omfanget af dens anvendelse.

• Høj ydeevne opnås ved miniaturizing krystallen selv og sine unikke egenskaber. Dette er på grund af vanskeligheder i industriel produktion. I øjeblikket er krystaller fremstillet med en 0,06 mikron gate.
• En lille overgang kapacitans giver disse enheder til at operere i højfrekvente kredsløb. For eksempel har en LSI med deres brug med succes været anvendt i den mobile kommunikation.
• Næsten nul modstand, som har en MOSFET i en åben tilstand, kan den bruges som elektroniske nøgler. De kan arbejde i kredsløb til frembringelse af højfrekvente signaler eller til broelementer såsom operationsforstærkere.
• Kraftfulde indretninger af denne type er blevet brugt med held i powermoduler og kan indgå i induktionen kredsløb. Et godt eksempel på deres anvendelse kan være inverteren.

Ved konstruktionen og arbejde med disse elementer er nødvendigt at overveje nogle funktioner. MOSFETs er følsomme over for overspænding og omvendt nemt mislykkes. Induktansen kredsløb almindeligt anvendte højhastighedstog Schottky dioder til udglatning den omvendte spændingspuls, der forekommer under omskiftning.

Udsigterne for brugen af disse enheder er temmelig store. Forbedring af teknologi i deres fremstilling er på måder at reducere krystal (lukkeren skalering). Gradvist nye enheder, der er i stand til at håndtere mere kraftfulde motorer.